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Copyright |
6 pages à l'impression |
version
initiale 2002 |
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dernière
mise à jour 22 mars 2013 |
deuxième partie (2/6)
un
tableau presque complet |
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les
différents types |
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sensibilité
et température |
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le
montage classique |
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une collection d'icônes pour visiter tout le site |
Ils reposent sur l'effet piézorésistif, c'est à dire l'effet d'une pression sur les caractéristiques d'une résistance (R=l/s) appelée jauge de contrainte, et soumise à la même déformation que la membrane qui la supporte, sous leffet de cette pression. La variation géométrique d'une jauge de contrainte se traduisant par une variation de sa résistivité on pourra exploiter celle-ci pour identifier l'amplitude de la contrainte. Ainsi que l'on peut le déduire des caractéristiques précisées ci-dessus les formes de membrane imaginables tout autant que celles des jauges sont très diverses et seront adaptées au mieux à lapplication concernée.
On distingue plusieurs technologies dans la réalisation de telles jauges :
- fils collés sur un support,
- jauges à trame pelliculaire,
- jauges diffusées,
- jauges en couche mince.
Elles sont constituées d'un fil résistant de faible diamètre (12µm par ex) collé sur un support dont la nature varie selon le type d'application et le domaine de température: ce peut être un papier fin poreux (0.1mm d'épaisseur) ou le plus souvent un film polyimide. De même la colle reliant le fil à son support sera du type epoxy (-190,+100°C) phénolique (100 à 300 °C) ou un ciment réfractaire (au delà de 300°C).jauges à fil
De plus en plus on remplace les jauges à fils par ces dernières dont la technologie se prête mieux aux procédures automatisées propres aux fabricants de composants électroniques. Le fil est alors remplacé par un conducteur mince et plat obtenu par photogravure. Les récents progrès des techniques photolithographiques autorisent la réalisation de brins de jauge de 3µm de largeur séparés par moins de 2µm.jauge à trame pelliculaire
Il est possible d'utiliser le silicium comme matériau de jauge plutôt qu'un alliage métallique. Le principal intérêt réside dans le facteur de jauge accru d'un facteur 50, par rapport aux jauges métalliques et aux possibilités très récentes de fabrication de l'ensemble du capteur en silicium. Dans ce dernier cas on évite ainsi toutes les opérations de montage des jauges sur une membrane. Cependant le silicium présente l'inconvénient majeur d'avoir un fort coefficient de dérive thermique.jauge à semiconducteur
coefficient de sensibilité longitudinaleR = l /r2 Sous l'effet d'une traction l augmente et r diminue, c'est l'inverse en cas de compression. On définit un facteur de sensibilité longitudinale
coefficient de sensibilité transversale(l/l)T = - (<l/l)x ce que l'on écrit y = -x R/R = Kxx +Kyy =[Kx-Ky]x On a donc du fait que les brins sont nécessairement raccordés entre eux par une liaison transversale une sensibilité réelle légèrement plus faible que Kx. En écrivant R/R = K réel (l/l )x
jauge lf = lf0 [1+ f(T-T0)]
- d'une part la dilatation différentielle entre jauge et support
- d'autre part, les effets thermoélectriques liés à un écart de température entre deux points de raccordement (on peut éliminer ce problème en alimentant les jauges en alternatif).
dilatation
pont de mesuresOn travaille en pont de wheatstone constitué de 4 jauges de résistance identique en l'absence de contrainte. Les jauges sont placées de façon symétrique sur la pièce en déformation de telle façon que J1 et J3 subissent des allongements positifs tandis que J2 et J4 seront comprimées.
d(VA-VC) = E/4R [ dR1 - dR4 + dR3 - dR2 ]Cette relation montre bien que la contribution à d(VA-VC) due à la température est nulle car à température homogène tous les dRi sont identiques, tandis que la sensibilité aux contraintes est maintenue en plaçant les jauges comme précisé ci-avant ;