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mise à jour 21 janvier 2013 |
D'autres infos technologiques
Comme il nous arrivera fréquemment de reprendre in extenso certaines infos, nous vous renverrons parfois vers le site original d'où nous proviennent ces infos. La raison en est double : d'une part, vous faire connaitre des sites intéressants, et d'autre part, limiter la taille du site électron mon amour dont notre hébergeur "Orange" limite volontairement le volume à 100 Mo.
Enfin, pour faciliter la vie des internautes fidèles de ce site, nous rappelons que la dernière info mise en ligne est toujours celle apparaissant en premier (ce qui ne veut pas dire forcément qu'elle est la plus récente, c'est seulement la dernière découverte par le webmaster).
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l'article complet
La gravure en profondeur sur des surfaces importantes
Le wafer inférieur comporte une couche d'oxyde destinée à
bloquer le processus d'etching lors de la phase (c), tandis que la face inférieure
du wafer supérieur a été prégravée très
exactement selon le motif désiré et servira de masque profond..
La face inférieure du wafer inférieur sera protégée
par une couche de nitrure de silicium. Après soudure des 2 wafers on
obtient la structure (b). Une première phase de gravure conduit à
la structure (c) qui conserve intact le masque intermédiaire. Lors
de la phase (d) on va changer de réactif et dissoudre l'oxyde, comme
les deux couches d'oxyde en contact ont la même épaisseur on
va donc maintenir très exactement la géométrie du masque
(qui aura si l'on peut dire descendu d'un étage) ainsi en (d) le masque
en contact du wafer inférieur est très exactement l'image prédéfinie
mais on a un ensemble ayant une grande épaisseur avec des puits dont
les parois sont verticales et semblables en tout point du wafer. Il reste
alors à enlever le silicium parfaitement protégé aux
endroits où il doit persister et le résultat (e) est un wafer
dont l'ensemble des pixels sont parfaitement identiques.
Il va de soi que ce procédé peut être appliqué
à de nombreux dispositifs devant posséder plusieurs motifs identiques
gravés en profondeur.
Pour en savoir plus : [1] Walton A.J., Parkes W., Terry, J.G., Dunare C.C.,
Stevenson J.T.M., Gundlach A.M., Hilton G.C., Irwin K.D., Ullom J.N., Holland
W.S., Duncan W.D., Audley M.D.,Ade P.A.R., Sudiwala R.V., Schulte E.:
Design and fabrication of the detector technology for SCUBA-2, IEE Proceedings
– Science, Measurement and Technology, Vol. 151, No. 2, pp. 110-120,
(2004)
[2] UK patent application No. 0601415.3
[3] http://www.roe.ac.uk/ukatc/people/innovation-group/deep_etch.pdf
Technologie 32 nanomètres
: une nouvelle étape franchie.
TSMC (Taïwan Semiconductor Manufacturing
Company) a dévoilé à la conférence IEDM (2007 International
Electron Devices Meeting) , qui se tient cette semaine à Washington,
le développement de la première puce en technologie Cmos
32nm disposant de fonctionnalités analogiques et numériques.
Cette puce est une Sram 2Mbits dont la cellule est, selon TSMC, la plus petite
de l'industrie, à 0.15µm2. L'originalité de la technologie
de TSMC est d'être une technologie faible consommation
relativement classique ne reposant ni sur des diélectriques de grille
à constante k élevée, ni sur des grilles métalliques,
comme c'est le cas de la plupart des autres technologies Cmos 32nm présentées
à IEDM ( celle développée par IBM et ses partenaires, par
exemple). Le concept TSMC permet non seulement une réduction de consommation
mais également une augmentation de vitesse considérable. IBM a
en effet aussi présenté un prototype de Sram Cmos 32nm avec cellule
de 0,15µm2 à la conférence de Washington, mais sur un substrat
SOI et avec grille métallique et diélectrique à k élevée,
donc plus chère car plus complexe à réaliser. Rappelons
que 32nm ça représente environ 100 atomes. Sachant qu'il y a environ
1 atome de dopant pour 106 atomes de silicium, on imagine la nécessaire
fiabilité du dopage pour obtenir cette proportion régulièrement
répartie dans un canal aussi court et dont l'épaisseur, certes
plus grande, reste inférieure au micron.
Des écrans à cristaux liquides très économes en énergieLes cristaux cholestériques bistables sont encore relativement peu employés dans les systèmes d'affichage en raison de leur temps de réponse relativement élevé. mais cet inconvénient, notoire lorsqu'il s'agit d'afficher des messages à variation rapide (écran d'ordinateur par ex.), est largement compensé par la stabilité de l'état sans aucune consommation d'énergie. Ainsi ces cristaux bistables peuvent ils équiper des écrans dont l'affichage peut rester inchangé jusqu'à une dizaine d'années, dont la lisibilité est facilitée puisqu'ils sont visibles dans un champ de plus de 180° et que leur contraste augmente avec la lumière solaire reçue.
Les Nanotechnologies : analyse comparative de l'état actuel des efforts institutionnels en Allemagne, en Europe et dans le reste du monde (20/09/2007)Les nanotechnologies et nanosciences définissent l'ensemble des techniques visant à produire, manipuler et utiliser des objets et matériaux à l'échelle du nanomètre (10E-9 m). Elles sont utilisées dans tous les domaines scientifiques et ont une importance qui ne cesse de croître : en 2006, l'effort mondial pour les nanotechnologies a été estimé à 10,5 milliards de dollars avec un taux de croissance annuelle estimé à 40%.
1. Définition et applications
2. Politique des nanotechnologies au niveau mondial
3. Les nanotechnologies en Europe
4. Les nanotechnologies en Allemagne
5. Les nanotechnologies en France
6. Coopérations franco-allemande dans le domaine des nanotechnologies
7. Conclusion
8. Annexes
les nanoparticules en AllemagneUn institut spécialisé dans la production et l'étude des propriétés des nanoparticules (Institut für Energie- und Umwelttechnik (IUTA) a été créé à Duisburg en vue d'examiner les applications industrielles en liaison avec nombre d'industriel de Rhénanie. En particulier un intérêt particulier est porté vers la réalisation de vitrages dont la couleur pourrait se modifier sous l'influence d'un champ électromagnétique ou d'impulsions lumineuses, voire s'échauffer sans contact.