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dernière mise à jour
21 janvier 2013
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D'autres infos technologiques

Le domaine de l'électronique professionnelle et des capteurs est en perpétuelle évolution, ce qui m'amène à restructurer très fréquemment les chapitres technologiques de ce site. Afin de permettre aux visiteurs de ce site d'être informés des nouveautés technologiques qui seront connues du grand public dans quelques années nous avons créé cette rubrique qui sera alimentée par notre réseau international de correspondants, en particulier les services économiques des ambassades de France dont l'excellent travail est généralement méconnu. Nous insisterons parfois sur les aspects économiques, ce qui est moins sensible dans les chapitres purement technologiques, car la technologie n'existerait pas sans financement, et il est parfois utile de prendre conscience de l'existence ou au contraire de l'insuffisance des financements dans certains domaines.
Comme il nous arrivera fréquemment de reprendre in extenso certaines infos, nous vous renverrons parfois vers le site original d'où nous proviennent ces infos. La raison en est double : d'une part, vous faire connaitre des sites intéressants, et d'autre part, limiter la taille du site électron mon amour dont notre hébergeur "Orange" limite volontairement le volume à 100 Mo.

Enfin, pour faciliter la vie des internautes fidèles de ce site, nous rappelons que la dernière info mise en ligne est toujours celle apparaissant en premier (ce qui ne veut pas dire forcément qu'elle est la plus récente, c'est seulement la dernière découverte par le webmaster).

Un nouveau matériau utile pour la conception de cellules photovoltaïques

L'équipe du professeur Uli Wiesner à la Cornell University vient de révéler la mise au point d'un nouveau procédé de préparation d'un matériau semiconducteur en couche mince qui permettra d'accroitre l'efficacité des cellule solaires et des batteries. Il s'agit sur une base de silicium de créer un film epitaxique en couche mince aligné sur le réseau substrat dans les 3 dimensions. C'est l'aboutissement de nombreuses années de recherche sur les structures polymères organiques à l'échelle nanométrique. On peut ainsi réaliser un film présentant une certaine porosité et ensuite remplir les pores de silicium, c'est à dire qu'on dispose d'une méthode permettant de créer des "piliers" à l'échelle nanométrique

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18 novembre 2010

Enfin du nouveau en matière de batteries

Chacun sait que la principale limitation au développement des technologies ambulatoires se situe au niveau de l'alimentation électrique. Ainsi nos téléphones mobiles cessent brutalement de fonctionner au moment où l'on en a le plus besoin parce qu'on a omis de recharger la batterie et actuellement le marché du véhicule électrique est bloqué tant par le poids exorbitant des batteries que par la nécessité de les recharger fréquemment. Les chercheurs de l'Imperial College de Londres vont sans doute apporter une première réponse originale à ce problème. En effet, ils viennent de développer un nouveau matériau composite très léger qui possède une double particularité : d'une part, il emmagasine l'énergie électrique et sait la restituer ce qui est le propre d'une batterie et, d'autre part, il présente des caractéristiques mécaniques telles qu'il peut être utilisé directement comme élément de carrosserie. Ainsi on pourrait se dispenser dans un véhicule électrique ou hybride du surpoids des batteries et permettre donc à de tels véhicules de parcourir des distances très sensiblement accrues sans besoin de recharge. En outre le processus de charge/décharge n'étant pas chimique comme dans les batteries traditionnelles le vieillissement d'un tel dispositif serait beaucoup plus lent. Ce matériau initialement imaginé pour l'automobile pourrait avantageusement être aussi utilisé dans les boitiers de téléphones mobiles ou d'ordinateurs portables. Affaire à suivre donc.

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16 mars 2010



La gravure en profondeur sur des surfaces importantes
Un problème récurrent se produit lorsqu'on veut graver le silicium en profondeur : la profondeur de la gravure n'est pas uniforme sur l'ensemble du wafer, on a des effets de bord très importants, ce qui se manifeste au premier coup d'oeil par un phénomène de réflexion de la lumière. Ainsi sur le wafer de 3 inches ci-contre qui est destiné à un dispositif d'affichage de 80 pixels par 80 pixels on constate ce phénomène qui se traduira dans le fonctionnement de l'afficheur par une distorsion notable puisque tous les pixels ne sont pas équivalents. En effet les fluctuations de profondeur de gravure sur ce wafer entre les pixels du bord et ceux du centre sont absolument considérables (plus de 100µm de différence).

De nombreux chercheurs ont tenté de trouver des solutions de gravure chimique non affectées par ce problème sans aboutir. Il semble qu'une équipe anglaise animée par William Parkes du Scottish Microelectronics Centre d'Edinburgh a trouvé un procédé physique résolvant ce problème.[2] dans le cadre du projet SCUBA-2 (a 10,000 pixel submillimeter camera for the James Clerk Maxwell Telescope [3]).

La solution consiste à utiliser deux wafers que l'on soudera l'un sur l'autre après une première phase de définition du motif. Le procédé est explicité sur la figure 2. L'astuce consiste en une double couche d'oxyde qui va se trouver prisonnière au milieu de l'ensemble et permettra une gravure finale infiniment mieux contrôlée. Sur la figure on n'a évidemment représenté qu'un seul motif (pixel).

....
fig.2 les étapes du procédé................................................................................................................... fig.3 vue partielle du réseau de détection complet


Le wafer inférieur comporte une couche d'oxyde destinée à bloquer le processus d'etching lors de la phase (c), tandis que la face inférieure du wafer supérieur a été prégravée très exactement selon le motif désiré et servira de masque profond.. La face inférieure du wafer inférieur sera protégée par une couche de nitrure de silicium. Après soudure des 2 wafers on obtient la structure (b). Une première phase de gravure conduit à la structure (c) qui conserve intact le masque intermédiaire. Lors de la phase (d) on va changer de réactif et dissoudre l'oxyde, comme les deux couches d'oxyde en contact ont la même épaisseur on va donc maintenir très exactement la géométrie du masque (qui aura si l'on peut dire descendu d'un étage) ainsi en (d) le masque en contact du wafer inférieur est très exactement l'image prédéfinie mais on a un ensemble ayant une grande épaisseur avec des puits dont les parois sont verticales et semblables en tout point du wafer. Il reste alors à enlever le silicium parfaitement protégé aux endroits où il doit persister et le résultat (e) est un wafer dont l'ensemble des pixels sont parfaitement identiques.

Il va de soi que ce procédé peut être appliqué à de nombreux dispositifs devant posséder plusieurs motifs identiques gravés en profondeur.

Pour en savoir plus : [1] Walton A.J., Parkes W., Terry, J.G., Dunare C.C., Stevenson J.T.M., Gundlach A.M., Hilton G.C., Irwin K.D., Ullom J.N., Holland W.S., Duncan W.D., Audley M.D.,Ade P.A.R., Sudiwala R.V., Schulte E.: Design and fabrication of the detector technology for SCUBA-2, IEE Proceedings – Science, Measurement and Technology, Vol. 151, No. 2, pp. 110-120, (2004)

[2] UK patent application No. 0601415.3

[3] http://www.roe.ac.uk/ukatc/people/innovation-group/deep_etch.pdf

12 juillet 2008

Technologie 32 nanomètres : une nouvelle étape franchie.
TSMC (Taïwan Semiconductor Manufacturing Company) a dévoilé à la conférence IEDM (2007 International Electron Devices Meeting) , qui se tient cette semaine à Washington, le développement de la première puce en technologie Cmos 32nm disposant de fonctionnalités analogiques et numériques. Cette puce est une Sram 2Mbits dont la cellule est, selon TSMC, la plus petite de l'industrie, à 0.15µm2. L'originalité de la technologie de TSMC est d'être une technologie faible consommation relativement classique ne reposant ni sur des diélectriques de grille à constante k élevée, ni sur des grilles métalliques, comme c'est le cas de la plupart des autres technologies Cmos 32nm présentées à IEDM ( celle développée par IBM et ses partenaires, par exemple). Le concept TSMC permet non seulement une réduction de consommation mais également une augmentation de vitesse considérable. IBM a en effet aussi présenté un prototype de Sram Cmos 32nm avec cellule de 0,15µm2 à la conférence de Washington, mais sur un substrat SOI et avec grille métallique et diélectrique à k élevée, donc plus chère car plus complexe à réaliser. Rappelons que 32nm ça représente environ 100 atomes. Sachant qu'il y a environ 1 atome de dopant pour 106 atomes de silicium, on imagine la nécessaire fiabilité du dopage pour obtenir cette proportion régulièrement répartie dans un canal aussi court et dont l'épaisseur, certes plus grande, reste inférieure au micron.
13/12/07

Des écrans à cristaux liquides très économes en énergie
Les cristaux cholestériques bistables sont encore relativement peu employés dans les systèmes d'affichage en raison de leur temps de réponse relativement élevé. mais cet inconvénient, notoire lorsqu'il s'agit d'afficher des messages à variation rapide (écran d'ordinateur par ex.), est largement compensé par la stabilité de l'état sans aucune consommation d'énergie. Ainsi ces cristaux bistables peuvent ils équiper des écrans dont l'affichage peut rester inchangé jusqu'à une dizaine d'années, dont la lisibilité est facilitée puisqu'ils sont visibles dans un champ de plus de 180° et que leur contraste augmente avec la lumière solaire reçue.

Dans le cas des LCD nématiques courants, les molécules sont toutes alignées dans la même direction ; dans celui des cholestériques, les axes tournent suivant une hélice. En fait, l'action d'un champ électrique sera différente selon qu'il variera brutalement ou lentement : une variation brutale amènera l'organisation des molécules dans un état ayant donc certaines propriétés optiques, tandis qu'une variation brutale conduira à l'autre organisation ayant des prorpiétés optiques différentes, d'où la possibilité de visualisation. Ainsi on applique d'abord un champ sur l'ensemble de la surface (ce qui va aligner les molécules perpendiculairement au champ et donc au plan de l'afficheur), puis pour afficher un message il suffit de supprimer ce champ lentement en certains points (dans ce cas il n'y a pas de mouvement hydrodynamique et les molécules vont se retrouver à la fois parallèles au plan de l'afficheur, et parfaitement alignées dans un plan perpendiculaire) et brutalement en d'autres (dans ce cas c'est l'autre état stable dit tordu qui prévaut : les molécules sont encore parallèles au plan mais chacune tourne légèrement par rapport à celle au-dessus ou au-dessous et l'ensemble se stabilise donc une configuration hélicoïdale). Lorsque le champ est totalement supprimé l'état des molécules va rester inchangé jusqu'à ce qu'une nouvelle variation de champ se produise.

Les grandes applications envisageables, sont par exemple les afficheurs de tarifs dans les supermarchés, mais aussi les écrans de téléphone mobile peu sollicités (cela dépend dans ce cas de l'utilisateur selon qu'il se contente d'afficher les numéros appelés et quelques SMS ou, comme cela va être généralisé sous peu, les chaines de télévision).

en savoir plus sur les applications

01/10/07

Les Nanotechnologies : analyse comparative de l'état actuel des efforts institutionnels en Allemagne, en Europe et dans le reste du monde (20/09/2007)
Les nanotechnologies et nanosciences définissent l'ensemble des techniques visant à produire, manipuler et utiliser des objets et matériaux à l'échelle du nanomètre (10E-9 m). Elles sont utilisées dans tous les domaines scientifiques et ont une importance qui ne cesse de croître : en 2006, l'effort mondial pour les nanotechnologies a été estimé à 10,5 milliards de dollars avec un taux de croissance annuelle estimé à 40%.

Depuis juin 2005, un plan d'action pour les nanosciences et les nanotechnologies (N&N) a été lancé par la Commission européenne. De 2007 à 2013 sont prévus dans le cadre du 7e PCRD 3,467 milliards d'euros pour renforcer ce plan d'action.

L'Allemagne a considérablement renforcé sa place dans la course mondiale à la maîtrise des nanotechnologies. Premier investisseur en Europe en nanotechnologies, elle soutient les nanotechnologies avec des programmes et des moyens conséquents : 330 millions d'euros en 2006 pour la recherche publique, soit 30% des moyens investis, l'industrie finançant les 70% restants. Les acteurs se sont organisés en réseaux dès 1998 afin de favoriser les interactions entre les institutions de recherche et les milieux économiques.

En France, le financement de la recherche dans le domaine des nanotechnologies est en croissance continue (10% par an) et le gouvernement français a soutenu le développement de ces nouvelles technologies avec 277 millions d'euros en 2005. La structuration de la recherche française se concrétise par la création des pôles de compétitivité qui facilitent le transfert technologique.

Ce document établit une comparaison des efforts de recherche, des objectifs poursuivis à la fois en Allemagne, en France, en Europe et plus généralement dans le reste du monde.

Au sommaire de ce document :
1. Définition et applications
2. Politique des nanotechnologies au niveau mondial
3. Les nanotechnologies en Europe
4. Les nanotechnologies en Allemagne
5. Les nanotechnologies en France
6. Coopérations franco-allemande dans le domaine des nanotechnologies
7. Conclusion
8. Annexes
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les nanoparticules en Allemagne
Un institut spécialisé dans la production et l'étude des propriétés des nanoparticules (Institut für Energie- und Umwelttechnik (IUTA) a été créé à Duisburg en vue d'examiner les applications industrielles en liaison avec nombre d'industriel de Rhénanie. En particulier un intérêt particulier est porté vers la réalisation de vitrages dont la couleur pourrait se modifier sous l'influence d'un champ électromagnétique ou d'impulsions lumineuses, voire s'échauffer sans contact.
source Kompetenznetze 22 sept 2007

Une source d'informations à connaitre quand on recherche un fabricant : http://www.directindustry.fr/
Les nanotechnologies aux USA
Un colloque d'une extrème importance sur les nanotechnologies s'est tenu à Washington en décembre 2010 le Nanotechnology Innovation Summit. Il n'est pas dans nos objectifs d'en faire un résumé qui dépasserait largement la taille restant disponible pour ce site web chez notre hébergeur. Mais si ce domaine vous intéresse il est indispensable d'aller consulter le remarquable travail des personnels français de l'ambassade de France aux USA qui outre la synthèse de ce colloque vous fournira une pléthore de liens à consulter impérativement

consultez : http://www.bulletins-electroniques.com/actualites/65402.htm

08 janvier 2011

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